英飞凌首创300毫米功率氮化镓技术，重塑行业未来

摘要： 　　　　英飞凌凭借其创新的GaN 300毫米技术，将引领快速发展的GaN市场　　英飞凌通过现有的300毫米硅制造技术，最大化氮化镓生产的资本效率　　随着时间...

　　英飞凌凭借其创新的GaN 300毫米技术，将引领快速发展的GaN市场

　　英飞凌通过现有的300毫米硅制造技术，最大化氮化镓生产的资本效率

　　随着时间的推移，300毫米GaN将有助于实现与硅相当的成本

　　奥地利慕尼黑和菲拉赫2024年9月11日/美通社/——

　　-图片可在AP -获取

　　英飞凌科技股份公司(FSE: IFX) (OTCQX: IFNNY)今日宣布，成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓(GaN)晶圆技术。英飞凌成为全球首家在现有可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的公司。这一进展将极大推动基于氮化镓的功率半导体市场。与200毫米晶圆相比，300毫米晶圆的芯片生产技术更为先进，效率更高，因为更大的晶圆直径能够提供2.3倍的芯片数量。

　　氮化镓基功率半导体在工业、汽车、消费、计算和通信等领域得到了迅速应用，包括人工智能系统、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统的电源。先进的GaN制造工艺能够提升器件性能，从而为最终客户的应用带来诸多好处，如更高的效率、更小的体积、更轻的重量和更低的总体成本。此外，300毫米制造的可扩展性确保了卓越的客户供应稳定性。

　　英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著成就体现了我们在创新方面的实力和全球团队的努力，证明了我们在GaN和电源系统创新领域的领导地位。”他补充道：“这项技术突破将改变行业规则，使我们能够充分发挥氮化镓的潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次表明了成为快速增长的GaN市场领导者的决心。作为电力系统的领导者，英飞凌掌握了硅、碳化硅和氮化镓三种相关材料。”

　　英飞凌在其位于奥地利菲拉赫(Villach)的功率晶圆厂，成功地在现有的300毫米硅生产线上生产了300毫米GaN晶圆。该公司利用现有的300毫米硅和200毫米氮化镓的生产能力。英飞凌将根据市场需求进一步扩大氮化镓的产能。300毫米氮化镓的制造将使英飞凌在塑造不断增长的氮化镓市场中占据重要地位，预计到本十年末，氮化镓市场将达到数十亿美元。

　　这一开创性技术的成功进一步巩固了英飞凌在电力系统和物联网领域的全球半导体领导地位。英飞凌正在实施300毫米GaN，以增强现有解决方案和应用领域，并通过日益具备成本效益的价值主张和全系列客户系统的解决能力，开辟新的解决方案和应用领域。英飞凌将于2024年11月在慕尼黑的电子贸易展上展示首批300毫米GaN晶圆。广告

　　300毫米氮化镓技术的一个显著优势在于，它能够利用现有的300毫米硅制造设备，因为氮化镓和硅在制造工艺上非常相似。英飞凌现有的大规模300毫米硅生产线是验证氮化镓技术的理想选择，能够加速实施并有效利用资金。完全规模化的300毫米GaN生产将使GaN在RDS(on)水平上与硅持平，这意味着Si和GaN产品的成本将相当。

　　300毫米氮化镓是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，支持英飞凌的脱碳和数字化使命。

　　一个布特英飞凌

　　英飞凌科技股份公司是电力系统和物联网领域的全球半导体领导者。英飞凌通过其产品和解决方案推动脱碳和数字化。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年(截至9月30日)创造了约163亿欧元的收入。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX)，在美国OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。广告

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